Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych

Elektronika

Azotek galu odegra taką rolę w elektronice i optoelektronice XXI wieku, jaką pełnił krzem w ostatnich dziesięcioleciach XX wieku.

Pracę poświęcono nowej i dynamicznie rozwijającej się metodzie selektywnej epitaksji (SAE) GaN oraz jej zastosowaniu do wytwarzania struktur przyrządowych lub warstw GaN o obniżonej gęstości defektów. Omówiono, inne niż SAE, metody doskonalenia jakości warstw epitaksjalnych GaN, takie jak: optymalizacja parametrów procesu osadzania, poszukiwanie nowych podłoży, alternatywnych do Al₂O₃ i SiC, lepiej dopasowanych do azotków oraz opracowywanie nowych metod wytwarzania warstw.

Przedstawiono zastosowanie techniki SAE GaN do selektywnego wytwarzania struktur przyrządowych nowej generacji, takich jak mikrodyskowe i mikropryzmowe wnęki laserowe, heksagonalne mikrościenne lasery, światłowody GaN, matryce polowych emiterów elektronów oraz emiter GaN bipolarnego tranzystora heterozłączowego SiC. Praca oddaje współczesny stan wiedzy w zakresie selektywnej epitaksji azotku galu.

Cena: 17 zł
Liczba stron: 156 • Format: 170 × 240 mm • Rok wydania: 2003
ISBN 83-7085-726-4