Książka jest pierwszym opracowaniem w języku polskim, dotyczącym badania elektronowych właściwości defektów strukturalnych za pomocą niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS).
Przedstawiono w niej:
- podstawowe wiadomości o defektach strukturalnych i domieszkach w półprzewodnikach,
- właściwości energetyczne głębokich poziomów defektowych i centrów pułapkowych,
- mechanizmy rekombinacji nośników z udziałem centrów defektowych i pułapkowania,
- podstawy teoretyczne spektroskopii głębokich poziomów, możliwości badawcze i zakres stosowalności metody,
- metodykę rozróżniania defektów punktowych i dyslokacji na podstawie analizy sygnału DLTS i kinetyki wychwytu nośników ładunku,
- statystykę pułapkowania nośników przez defekty strukturalne,
- charakterystykę głębokich poziomów pułapkowych w strukturach n-GaAs z warstwą epitaksjalną,
- charakterystykę stanów elektronowych dyslokacji występujących w niedopasowanych sieciowo heterostrukturach InxGa1-xAs.
Książka jest adresowana do studentów fizyki, elektroniki i inżynierii materiałowej, z pewnością zainteresuje również pracowników naukowych zajmujących się fizyką i elektroniką półprzewodników oraz projektowaniem nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych.
Cena: 30 zł
Liczba stron: 204 • Format: 170 × 240 mm • Rok wydania: 2009
ISBN 978-83-7493-448-0
Ostatni egzemplarz